Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTF3055L108T1G, 60В, 1,4А, SOT223 (набір 20 шт.)
2 310 ₴
- В наявності
- Код: TM036438
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTF3055L108T1G, 60В, 1,4А, SOT223 (набір 20 шт.)В наявності
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів N-MOSFET від виробника ONSEMI, модель NTF3055L108T1G. Компоненти у корпусі SOT223 призначені для поверхневого монтажу (SMD) та розраховані на напругу 60 В і струм 1,4 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга: 60 В
- Струм витоку: 1,4 А (імпульсний до 9 А)
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Розсіювана потужність: 1,3 Вт
- Опір у стані провідності: 0,12 Ом
- Кількість у наборі: 20 шт.
Технічні параметри
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення типу. Максимальна напруга між витоком та джерелом становить 60 В, а постійний струм витоку — 1,4 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 9 А.
Електричні характеристики
Розсіювана потужність транзистора дорівнює 1,3 Вт. Опір у стані провідності (Rds(on)) становить 0,12 Ом. Заряд затвора (Qg) — 15 нКл, а допустима напруга затвор-джерело — ±15 В.
Корпус та монтаж
Компоненти виконані у корпусі SOT223 для поверхневого монтажу (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 15 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 120 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SOT223 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 310 ₴