Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTE4153NT1G, 20 В, 0,66 А, 0,3 Вт, SC89 (50 шт.)
1 860 ₴
- В наявності
- Код: TM076215
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTE4153NT1G, 20 В, 0,66 А, 0,3 Вт, SC89 (50 шт.)В наявності
1 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTE4153NT1G — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Комплект складається з 50 штук у корпусі SC89 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 20 В
- Максимальний струм стоку: 0,66 А
- Потужність розсіювання: 0,3 Вт
- Корпус: SC89 (SMD монтаж)
- Кількість у комплекті: 50 шт.
Електричні параметри
Максимально допустима напруга стік-витік становить 20 В, а струм стоку — 0,66 А. Максимальна потужність розсіювання обмежена значенням 0,3 Вт. Ці характеристики визначають робочі межі транзистора в електричних колах.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі SC89. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж).
Комплектація
У наборі постачається 50 штук транзисторів. Кількість у комплекті вказана в специфікації товару.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 6 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.66 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 230 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | SC89 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 860 ₴