Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTD3055L104T4G, 60V, 12A, DPAK (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTD3055L104T4G — це уніполярний компонент із каналом збагачення, що використовується у електронних пристроях. Комплект із 20 штук забезпечує запас для серійного монтажу або ремонту плат.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга стік-виток: 60 В
• Струм стіка: 12 А (постійний), 45 А (імпульсний)
• Розсіювана потужність: 48 Вт
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Комплектація: 20 штук

Електричні параметри та потужність

Транзистор розрахований на напругу стік-виток 60 В та постійний струм стіка 12 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 45 А, що дозволяє використовувати компонент у схемах із високими піковими навантаженнями. Максимальна розсіювана потужність становить 48 Вт, що вимагає належного відведення тепла при тривалій роботі.

Зручний монтаж SMD

Компонент виконаний у корпусі DPAK із технологією поверхневого монтажу (SMD). Таке виконання дозволяє автоматизувати процес пайки та економити місце на друкованій платі. Корпус DPAK поєднує компактність із достатньою площею для відведення тепла від кристала.

Керування та опір у відкритому стані

Напруга керування затвор-виток становить ±15 В, що відповідає стандартним параметрам керування. Заряд затвора 20 нКл визначає швидкість перемикання та навантаження на драйвер. Опір у відкритому стані 0,104 Ом забезпечує низькі втрати потужності при проходженні струму.

Транзистор ONSEMI NTD3055L104T4G є компонентом для електронних пристроїв.## Низькі втрати при роботі під навантаженнямОпір у відкритому стані 0,104 Ом мінімізує нагрівання компонента при проходженні струму. Це дозволяє зберігати енергоефективність схеми та зменшує потребу у додатковому охолодженні для помірних навантажень.## Швидкість перемиканняЗаряд затвора 20 нКл визначає швидкість реакції транзистора на сигнали керування. Низький заряд затвора спрощує роботу драйверів та забезпечує стабільну роботу у динамічних режимах.