Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTD2955T4G, -60В, -12А, DPAK (20 шт.)

Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTD2955T4G — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для роботи в схемах керування живленням. Комплект із 20 штук у корпусі DPAK забезпечує зручність для масового монтажу та серійного виробництва.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
• Напруга дрена-джерела: -60В
• Струм дрена: -12А (в імпульсі -18А)
• Потужність розсіювання: 55Вт
• Опір у стані провідності: 0,18Ω
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Комплектація: 20 штук

Струмові характеристики

Транзистор витримує напругу дрена-джерела до -60В та постійний струм дрена -12А. У імпульсному режимі струм може досягати -18А, що дозволяє використовувати компонент у динамічних навантаженнях. Потужність розсіювання становить 55Вт, що вимагає належного теплового відведення при тривалій роботі.

Опір та керування затвором

Опір у стані провідності дорівнює 0,18Ω, що мінімізує втрати енергії та нагрівання при комутації. Заряд затвора становить 15nC, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера затвора. Максимальна напруга затвор-джерело обмежена ±20В, що є стандартним параметром для MOSFET-транзисторів.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі DPAK, який поєднує компактність із можливостями відведення тепла. Монтаж здійснюється технологією SMD (поверхневий монтаж), що підходить для автоматизованих ліній виробництва електронних плат.

Тип каналу та полярність транзистора