Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTD25P03LT4G, DPAK, 30 шт.
2 710 ₴
- В наявності
- Код: TM019952
Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTD25P03LT4G, DPAK, 30 шт.В наявності
2 710 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-MOSFET транзистор ONSEMI NTD25P03LT4G у корпусі DPAK призначений для електронних схем. Комплект складається з 30 одиниць, що забезпечує зручність для серійного монтажу або ремонтних робіт.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: -30 В
- Струм дрена: -25 А
- Потужність розсіювання: 75 Вт
- Корпус: DPAK (SMD монтаж)
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Напруга дрена-джерела становить -30 В, а струм дрена — -25 А. Потужність розсіювання становить 75 Вт, що вимагає належного теплового режиму при експлуатації. Опір у стані провідності дорівнює 90 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі DPAK, який є стандартним для поверхневого монтажу (SMD). Полярність транзистора — уніполярна, канал збагачуваний.
Додаткові параметри та комплектація
У пакуванні міститься 30 транзисторів. Кількість у комплекті — 30 шт. Напруга затвор-джерело становить ±15 В, а заряд затвора — 20 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 75 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 15 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 90 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | DPAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 710 ₴