Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTD24N06LT4G, 60В, 24А, DPAK (набір 20 шт.)
2 380 ₴
- В наявності
- Код: TM076195
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTD24N06LT4G, 60В, 24А, DPAK (набір 20 шт.)В наявності
2 380 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTD24N06LT4G — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Модель має максимальну напругу дрена-джерело 60 В та постійний струм дрена 24 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерело: 60 В
- Постійний струм дрена: 24 А
- Розсіювана потужність: 62,5 Вт
- Опір у стані провідності: 36 мОм
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Набір: 20 шт.
Основні параметри
Транзистор має максимальну напругу дрена-джерело 60 В та постійний струм дрена 24 А. Опір у стані провідності становить 36 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 62,5 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі DPAK із технологією монтажу SMD. Таке рішення дозволяє розміщувати транзистор на друкованих платах із високою щільністю компонентів.
Комплектація
Товар постачається набором із 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 62.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 15 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 24 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 36 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 380 ₴