Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTD20P06LT4G, DPAK, -60В, -15,5А (комплект 20 шт.)

Транзистор P-MOSFET ONSEMI NTD20P06LT4G у корпусі DPAK. Комплект із 20 одиниць забезпечує запас компонентів для серійного виробництва або ремонту обладнання.

• Тип транзистора: P-MOSFET, збагачений канал
• Максимальна напруга дрена-джерела: -60 В
• Струм дрена: -15,5 А
• Потужність розсіювання: 65 Вт
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

P-канальний MOSFET збагаченого типу працює при напрузі дрена-джерела до -60 В та струмі дрена до -15,5 А. Потужність розсіювання становить 65 Вт, що дозволяє використовувати транзистор у схемах із середнім навантаженням. Опір у стані провідності дорівнює 0,13 Ом, що мінімізує втрати енергії під час роботи.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі DPAK, що є стандартом для поверхневого монтажу (SMD). Таке рішення спрощує автоматизацію процесу пайки та економить місце на друкованій платі. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±20 В, що відповідає типовим рівням керуючих сигналів.

Комплектація

У пакуванні міститься 20 транзисторів. Такий обсяг зручний для інженерів та майстерень, які потребують невеликої партії однотипних компонентів без замовлення великих оптових кількостей.