Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTD20N06T4G, 60В, 10А, DPAK (набір 20 шт.)
2 510 ₴
- В наявності
- Код: TM076194
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTD20N06T4G, 60В, 10А, DPAK (набір 20 шт.)В наявності
2 510 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTD20N06T4G — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Модель розрахована на напругу 60 В та струм 10 А у корпусах DPAK.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Постійний струм стоку: 10 А, імпульсний: 60 А
- Розсіювана потужність: 60 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж: SMD
- Набір: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до 60 В та постійним струмом стоку 10 А. Імпульсний струм може досягати 60 А, а максимальна розсіювана потужність становить 60 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 37,5 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі DPAK із технологією монтажу SMD. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В, а заряд затвора становить 21,2 нКл.
Комплектація
Товар постачається набором із 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 60 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 10 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 37.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 510 ₴