Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTD14N03RT4G, DPAK, 25 В, 2,5 А (комплект 40 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTD14N03RT4G — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Товар поставляється комплектом із 40 одиниць у корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 25 В
• Постійний струм стіка: 2,5 А (імпульсний: 28 А)
• Розсіювана потужність: 20,8 Вт
• Корпус: DPAK, монтаж: SMD
• Комплектація: 40 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 25 В та постійний струм стіка 2,5 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 28 А. Напруга затвор-витік становить ±20 В, а опір у відкритому стані — 0,117 Ом.

Теплові характеристики та монтаж

Максимальна розсіювана потужність транзистора становить 20,8 Вт. Прилад виконаний у корпусі DPAK із типом монтажу SMD. Заряд затвора дорівнює 1,8 нКл.