Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTA4153NT1G, 20В, 0,915А, SC75, ESD (100 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI NTA4153NT1G — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Модель виконана в корпусі SC75 та має захист від електростатичного розряду (ESD).

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга дрена-джерела: 20 В
• Струм дрена: 0,915 А
• Розсіювана потужність: 0,3 Вт
• Корпус: SC75, монтаж SMD
• Захист ESD
• Набір: 100 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 20 В та витримує струм дрена 0,915 А. Максимальна розсіювана потужність становить 0,3 Вт, а допустима напруга між затвором і джерелом — ±6 В.

Опір та заряд затвора

Опір у провідному стані дорівнює 0,95 Ом. Заряд затвора становить 1,82 нКл.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у компактному корпусі SC75 для поверхневого монтажу (SMD). Версія ESD вказує на наявність вбудованого захисту від електростатичного розряду.