Транзистор ONSEMI NSVBC858CLT1G PNP SOT23, набір 80 шт.
1 930 ₴
- В наявності
- Код: TM076181
Транзистор ONSEMI NSVBC858CLT1G PNP SOT23, набір 80 шт.В наявності
1 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор ONSEMI NSVBC858CLT1G — це біполярний напівпровідниковий прилад структури PNP у корпусі SOT23 (TO236AB). Товар поставляється комплектом із 80 штук.
- Тип: біполярний транзистор структури PNP
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Напруга колектор-емітер: 30 В
- Струм колектора: 0,1 А
- Потужність розсіювання: 0,225 Вт
- Гранична частота: 100 МГц
- Коефіцієнт підсилення (hFE): 420...800
- Комплектація: набір із 80 штук
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу колектор-емітер 30 В та струм колектора 0,1 А. Потужність розсіювання становить 0,225 Вт, що відповідає обмеженням малогабаритного корпусу для поверхневого монтажу.
Частотні характеристики та підсилення
Гранична частота переходу дорівнює 100 МГц. Коефіцієнт підсилення за струмом (hFE) знаходиться в діапазоні 420...800.
Монтаж та застосування
Компонент виконаний у корпусі SOT23 (TO236AB) для технології SMD (поверхневого монтажу). Згідно з даними виробника, транзистор призначений для застосування в автомобільній промисловості.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.225 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 30 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.1 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Додаткові характеристики | |
| Гранична частота передачі | 100 МГц |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 80 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 930 ₴