Біполярний транзистор ONSEMI NJVNJD2873T4G типу NPN у корпусі DPAK. Комплект складається з 50 одиниць, призначених для SMD-монтажу.
- Тип транзистора: NPN, біполярний
- Напруга колектор-емітер: 50 В
- Струм колектора: 2 А
- Потужність розсіювання: 12,5 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 50 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою колектор-емітер 50 В та струмом колектора 2 А. Потужність розсіювання становить 12,5 Вт.
Частотні характеристики
Верхня гранична частота становить 65 МГц.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD). Коефіцієнт підсилення за струмом (hFE) становить 120...360. Транзистор призначений для застосування в автомобільній промисловості.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 12.5 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 50 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 2 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Додаткові характеристики | |
| Гранична частота передачі | 65 МГц |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | DPAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 190 ₴

