Транзистор IGBT ONSEMI NGTB40N120FL3WG, 1200 В, 40 А, TO247-3 (5 шт.)

IGBT-транзистор ONSEMI NGTB40N120FL3WG у корпусі TO247-3 призначений для потужних силових електронних схем. Комплект складається з 5 одиниць, що забезпечує зручність для серійного монтажу або ремонтних робіт. Компонент поєднує високу напругу колектор-емітер 1,2 кВ та струм 40 А, що робить його придатним для інверторів та імпульсних джерел живлення.

• Напруга колектор-емітер: 1200 В
• Струм колектора: 40 А (імпульсний до 160 А)
• Розсіювана потужність: 227 Вт
• Корпус: TO247-3, монтаж THT
• Наявність вбудованого антипаралельного діода
• Комплектація: 5 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 1,2 кВ, що дозволяє використовувати його в мережах із підвищеною напругою. Номінальний струм колектора становить 40 А, а імпульсний струм може досягати 160 А. Це забезпечує стабільну роботу під час пікових навантажень у силових модулях.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність транзистора становить 227 Вт. Корпус TO247-3 сприяє ефективному відведенню тепла від кристала до радіатора. Така конструкція важлива для підтримки стабільної температури компонентів у закритих корпусах обладнання.

Вбудований діод та монтаж

Компонент має вбудований антипаралельний діод, що спрощує схемотехніку та зменшує кількість зовнішніх елементів. Монтаж виконується методом THT (скрізь отвори), що гарантує надійний механічний контакт із друкованою платою. Напруга на затворі обмежена ±20 В, що вимагає відповідного керуючого драйвера. Заряд затвора становить 212 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до потужності драйвера.