
Транзистор IGBT ONSEMI NGTB35N65FL2WG, 650В, 35А, TO247-3 (набір 5 шт.)
2 680 ₴
- В наявності
- Код: TM019897
IGBT-транзистор ONSEMI NGTB35N65FL2WG — це напівпровідниковий прилад для потужних електронних схем. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO247-3, що забезпечує зручність для серійного монтажу та ремонту. Прилад розрахований на високу напругу та струм, що робить його універсальним рішенням для інверторів та джерел живлення.
- Напруга колектор-емітер: 650 В
- Струм колектора: 35 А (імпульсний до 120 А)
- Розсіювана потужність: 150 Вт
- Корпус: TO247-3, монтаж THT
- Комплект: 5 транзисторів
Висока напруга та струм
Транзистор працює з напругою колектор-емітер до 650 В, що дозволяє використовувати його в мережевих пристроях. Номінальний струм колектора становить 35 А, а імпульсний струм може досягати 120 А. Це забезпечує надійну роботу при різких навантаженнях та пускових струмах.
Ефективне розсіювання тепла
Максимальна розсіювана потужність становить 150 Вт. Корпус TO247-3 сприяє ефективному відведенню тепла від кристала на радіатор. Така конструкція важлива для стабільної роботи пристроїв під тривалим навантаженням.
Зручний монтаж та комплектація
Призначений для вивідного монтажу (THT), що спрощує процес встановлення на друковані плати. У комплекті постачається 5 транзисторів, що вигідно для заміни кількох елементів одночасно або для невеликих серійних виробів. Заряд затвора становить 125 нКл, що впливає на швидкість перемикання.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 150 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 35 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
- Ціна: 2 680 ₴
