Транзистор P-MOSFET ONSEMI NDT452AP, -30В, -5А, SOT223, комплект 20 шт.

Транзистор P-MOSFET ONSEMI NDT452AP — це уніполярний компонент у корпусі SOT223 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 20 штук, що зручно для серійного виробництва або ремонту електронних пристроїв.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
• Напруга дрена-джерела: -30 В
• Струм дрена: -5 А
• Потужність розсіювання: 3 Вт
• Корпус: SOT223, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Ключові електричні параметри

Транзистор має напругу дрена-джерела -30 В та струм дрена -5 А, що дозволяє використовувати його в схемах із середніми навантаженнями. Потужність розсіювання становить 3 Вт, а опір у стані провідності — 0,13 Ом, що забезпечує ефективну роботу з мінімальними втратами енергії.

Канал та керування затвором

Транзистор має збагачуваний канал, що забезпечує стабільну роботу в ключових режимах. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±20 В, що визначає допустимі рівні керуючого сигналу для надійного відкривання та закривання компонента.