Транзистор N-MOSFET ONSEMI NDT451AN, 30В, 7,2А, SOT223, комплект 40 шт.
2 360 ₴
- В наявності
- Код: TM036407
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NDT451AN, 30В, 7,2А, SOT223, комплект 40 шт.В наявності
2 360 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NDT451AN — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Товар поставляється комплектом із 40 штук у корпусі SOT223 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 30 В
- Максимальний струм стіка: 7,2 А
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Розсіювана потужність: 3 Вт
- Опір у відкритому стані: 90 мОм
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 30 В та струм стіка 7,2 А. Опір у відкритому стані становить 90 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 3 Вт, а допустима напруга затвор-витік — ±20 В.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у стандартному корпусі SOT223, що дозволяє використовувати його для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
Упаковка містить 40 транзисторів ONSEMI NDT451AN. Заряд затвора становить 30 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 7.2 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 90 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SOT223 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 360 ₴