Транзистор N-MOSFET ONSEMI NDT3055L, 60V, 4A, SOT223, набір 20 шт.
2 960 ₴
- В наявності
- Код: TM019889
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NDT3055L, 60V, 4A, SOT223, набір 20 шт.В наявності
2 960 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI NDT3055L — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Модель має напругу стік-витік 60 В та струм стіка 4 А. Товар постачається у наборі з 20 штук у корпусі SOT223.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Максимальний струм стіка: 4 А
- Потужність розсіювання: 3 Вт
- Корпус: SOT223 для поверхневого монтажу (SMD)
- Набір із 20 штук
Електричні параметри
Транзистор має напругу стік-витік 60 В та максимальний струм стіка 4 А. Потужність розсіювання становить 3 Вт. Опір у відкритому стані становить 0,18 Ом. Напруга затвор-витік становить ±20 В. Заряд затвора дорівнює 20 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SOT223 для поверхневого монтажу (SMD). Потужність розсіювання становить 3 Вт.
Комплектація
Товар поставляється як набір із 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 180 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SOT223 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 960 ₴