Транзистор NPN ONSEMI MUN5214T1G, SOT323, 50В, 100мА (комплект 300 шт.)

Транзистор NPN ONSEMI MUN5214T1G — це біполярний компонент із вбудованими резисторами (BRT) у корпусі SOT323. Комплект складається з 300 одиниць, призначених для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип транзистора: NPN, біполярний, BRT (з вбудованими резисторами)
• Максимальна напруга колектор-емітер: 50 В
• Струм колектора: 100 мА
• Потужність розсіювання: 310 мВт
• Корпус: SC70 / SOT323, монтаж SMD
• Вбудовані резистори: база 10 кОм, база-емітер 47 кОм
• Коефіцієнт підсилення (hFE): 80–140
• Комплектація: 300 штук

Технічні параметри

Транзистор працює з напругою колектор-емітер до 50 В та струмом колектора 100 мА. Потужність розсіювання становить 310 мВт. Коефіцієнт підсилення (hFE) знаходиться в діапазоні 80–140.

Вбудовані резистори

Модель MUN5214T1G є транзистором типу BRT (Bias Resistor Transistor), що означає наявність інтегрованих резисторів. Опір базового резистора дорівнює 10 кОм, а резистора між базою та емітером — 47 кОм. Резистори інтегровані в корпус транзистора.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SC70 (SOT323). Монтаж здійснюється методом SMD (Surface Mount Device).