Транзистор ONSEMI MUN5211T1G NPN, 50В, 0,1А, SOT323, комплект 150 шт.
1 900 ₴
- В наявності
- Код: TM076046
Транзистор ONSEMI MUN5211T1G NPN, 50В, 0,1А, SOT323, комплект 150 шт.В наявності
1 900 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор ONSEMI MUN5211T1G — це біполярний NPN-транзистор із вбудованими резисторами (BRT) у корпусі SOT323. Комплект складається зі 150 одиниць, призначених для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: NPN, біполярний, BRT (з вбудованими резисторами)
- Максимальна напруга колектор-емітер: 50 В
- Струм колектора: 0,1 А
- Потужність розсіювання: 0,31 Вт
- Корпус: SC70 / SOT323, монтаж SMD
- Вбудовані резистори бази та емітер-база: 10 кОм
- Кількість у комплекті: 150 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу колектор-емітер 50 В та струм колектора 0,1 А. Потужність розсіювання становить 0,31 Вт, а коефіцієнт підсилення (hFE) дорівнює 60.
Вбудовані резистори
Модель MUN5211T1G є транзистором типу BRT (Bias Resistor Transistor), що означає наявність вбудованих резисторів. Опір резистора бази та резистора емітер-база становить 10 кОм кожен.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у компактному корпусі SC70 (SOT323),. Монтаж здійснюється методом SMD (Surface Mount Device),.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.31 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 50 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.1 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 150 шт. |
| Корпус | SC70, SOT323 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 900 ₴