Транзистор ONSEMI MUN5112DW1T1G PNP x2 BRT SMD (300 шт.)
2 320 ₴
- В наявності
- Код: TM036372
Транзистор ONSEMI MUN5112DW1T1G PNP x2 BRT SMD (300 шт.)В наявності
2 320 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор ONSEMI MUN5112DW1T1G — це комплект із 300 біполярних транзисторів типу PNP (подвійний) з вбудованими резисторами (BRT). Призначений для поверхневого монтажу (SMD) у корпусах SC70-6, SC88 або SOT363.
- Тип транзистора: PNP x2 (подвійний)
- Наявність вбудованих резисторів (BRT)
- Напруга колектор-емітер: 50 В
- Струм колектора: 0,1 А
- Потужність розсіювання: 0,187 Вт
- Резистори бази та емітера-бази: 22 кОм
- Корпуси: SC70-6, SC88, SOT363
- Кількість у комплекті: 300 шт.
Електричні параметри
Компонент має напругу колектор-емітер 50 В та струм колектора 0,1 А. Потужність розсіювання становить 0,187 Вт. Вбудовані резистори бази та емітера-бази мають номінал 22 кОм.
Корпус та монтаж
Транзистори виконані у компактних корпусах SC70-6, SC88, SOT363 для технології SMD.
Комплектація
Упаковка містить 300 штук транзисторів. Символ виробника: MUN5112DW1T1G.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.187 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 50 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.1 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 300 шт. |
| Корпус | SC70-6, SC88, SOT363 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 320 ₴