Транзистор ONSEMI MMUN2233LT1G NPN, SOT23, 50В, 0,1А (комплект 200 шт.)
2 270 ₴
- В наявності
- Код: TM075993
Транзистор ONSEMI MMUN2233LT1G NPN, SOT23, 50В, 0,1А (комплект 200 шт.)В наявності
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор ONSEMI MMUN2233LT1G — це біполярний NPN-транзистор із вбудованими резисторами (BRT) у корпусі SOT23. Комплект складається з 200 одиниць, призначених для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: NPN, біполярний, BRT
- Напруга колектор-емітер: 50 В
- Струм колектора: 0,1 А
- Потужність розсіювання: 0,246 Вт
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Вбудовані резистори: база 4,7 кОм, емітер-база 47 кОм
- Кількість у комплекті: 200 шт.
Технічні характеристики
Транзистор працює з напругою колектор-емітер до 50 В та струмом колектора 0,1 А. Потужність розсіювання становить 0,246 Вт. Корпус SOT23 (TO236AB).
Вбудовані резистори
Модель MMUN2233LT1G є транзистором типу BRT (Bias Resistor Transistor), що означає наявність інтегрованих резисторів. Опір резистора бази становить 4,7 кОм, а резистора емітер-база — 47 кОм. Транзистор типу BRT має інтегровані резистори.
Комплектація
У пакеті постачається 200 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.246 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 50 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.1 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 200 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 270 ₴