
Транзистор PNP ONSEMI MMUN2217LT1G, SOT23, 50В, 0.1А, 0.246Вт (набір 200 шт.)
2 460 ₴
- В наявності
- Код: TM075991
Транзистор PNP типу BRT від виробника ONSEMI, модель MMUN2217LT1G, у корпусі SOT23. Це біполярний транзистор із вбудованими резисторами, призначений для поверхневого монтажу (SMD). Товар постачається набором із 200 штук.
- Тип транзистора: PNP, біполярний, BRT
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Максимальна напруга колектор-емітер: 50 В
- Максимальний струм колектора: 0.1 А
- Потужність розсіювання: 0.246 Вт
- Комплектація: набір із 200 штук
Технічні параметри
Максимальна потужність розсіювання становить 0.246 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Максимально допустима напруга колектор-емітер дорівнює 50 В, а максимальний струм колектора — 0.1 А. Ці характеристики визначають межі безпечної експлуатації транзистора в електричних колах.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у стандартному корпусі SOT23 (TO236AB), що забезпечує компактність розміщення на платі. Тип монтажу — SMD (поверхневий).
Особливості структури
Транзистор належить до типу BRT (Bias Resistor Transistor), що означає наявність вбудованих резисторів у базовому ланцюзі. Згідно з даними виробника, опір резистора бази становить 4,7 кОм, а резистора емітер-база — 10 кОм. Зовнішні резистори для обмеження струму бази інтегровані в компонент.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.246 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 50 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.1 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 200 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
- Ціна: 2 460 ₴
