Транзистор ONSEMI MMUN2216LT1G — це біполярний NPN-транзистор із вбудованим резистором бази (BRT) у корпусі SOT23. Позиція продається набором із 150 штук, що зручно для масового монтажу на платах.
- Тип: біполярний NPN-транзистор із вбудованим резистором (BRT)
- Корпус: SOT23 (TO236AB) для SMD-монтажу
- Максимальна напруга колектор-емітер: 50 В
- Струм колектора: 0,1 А
- Потужність розсіювання: 0,246 Вт
- Резистор бази: 4,7 кОм
- Кількість у наборі: 150 шт.
Технічні параметри
Транзистор має максимальну напругу колектор-емітер 50 В та струм колектора 0,1 А. Потужність розсіювання становить 0,246 Вт. Вбудований резистор бази має номінал 4,7 кОм, що спрощує підключення до логічних виходів мікроконтролерів.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у стандартному корпусі SOT23 (TO236AB) для поверхневого монтажу (SMD). Такий формат дозволяє економити місце на друкованій платі та забезпечує автоматизацію процесу пайки.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.246 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 50 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.1 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 150 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 080 ₴

