Транзистор PNP типу BRT від виробника ONSEMI, модель MMUN2111LT1G. Поставляється у комплекті з 200 одиниць у корпусі SOT23 (TO236AB) для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: PNP, біполярний, BRT
- Напруга колектор-емітер: 50 В
- Струм колектора: 0,1 А
- Потужність розсіювання: 0,246 Вт
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Вбудовані резистори бази та емітер-база: 10 кОм
- Коефіцієнт підсилення: 35...60
- Кількість у комплекті: 200 шт.
Технічні параметри
Транзистор є біполярним компонентом структури PNP з вбудованими резисторами (BRT). Максимальна напруга колектор-емітер становить 50 В, а струм колектора — 0,1 А. Потужність розсіювання дорівнює 0,246 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента.
Вбудовані резистори
Компонент має вбудований резистор бази та резистор емітер-база, кожен з яких має номінал 10 кОм. Коефіцієнт підсилення транзистора становить 35...60.
Корпус та монтаж
Транзистор виконаний у стандартному корпусі SOT23, також відомому як TO236AB. Такий формат призначений для технології поверхневого монтажу (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.246 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 50 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.1 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 200 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 280 ₴

