Транзистор N-MOSFET IXYS MMIX1T550N055T2, 55В, 550А, SMPD

Транзистор N-MOSFET IXYS MMIX1T550N055T2 — це потужний силовий компонент із технологією GigaMOS™, призначений для високо струмових застосувань. Він забезпечує номінальний струм 550 А та імпульсний струм до 2 кА при напрузі 55 В, що робить його ідеальним для промислової електроніки та силових перетворювачів.

• Номінальний струм стоку 550 А
• Імпульсний струм до 2 кА
• Низький опір відкритого каналу 1,3 мОм
• Розсіювана потужність 830 Вт
• Корпус SMPD для SMD монтажу
• Технологія GigaMOS™ та TrenchT2™

Висока струмова навантаженість

Компонент працює з постійним струмом стоку 550 А, а в імпульсному режимі витримує пікові значення до 2 кА. Така характеристика дозволяє використовувати транзистор у ланцюгах із високим пусковим струмом або короткочасними перевантаженнями, забезпечуючи стабільність роботи системи.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 830 Вт, що вимагає якісного відведення тепла. Низький опір у відкритому стані 1,3 мОм мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи, що підвищує загальний ККД пристрою.

Швидка комутація та керування

Час готовності транзистора становить 100 нс, що забезпечує швидке перемикання в імпульсних схемах. Заряд затвора 595 нК та допустима напруга затвор-витік ±20 В визначають параметри керування компонентом.

Компактний монтаж SMD

Транзистор виконаний у корпусі SMPD для поверхневого монтажу (SMD). Це дозволяє створювати компактні силові модулі.