Транзистор N-MOSFET IXYS MMIX1F44N100Q3, 1000 В, 30 А, SMPD

Транзистор N-MOSFET IXYS MMIX1F44N100Q3 — це силовий польовий транзистор з каналом збагачення та технологією HiPerFET™ Q3-Class. Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 1000 В та струм стоку 30 А, що відповідає класу високовольтних компонентів.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 1000 В
• Максимальний струм стоку: 30 А (імпульсний: 110 А)
• Опір у відкритому стані (Rds): 245 мОм
• Корпус: SMPD, монтаж: поверхневий
• Технологія: HiPerFET™, Q3-Class

Напруга та струм

Максимально допустима напруга стік-витік становить 1000 В, а напруга затвор-витік обмежена 30 В. Струм стоку у стаціонарному режимі досягає 30 А, а в імпульсному режимі може сягати 110 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 245 мОм, що визначає теплові втрати при провідності. Максимальна потужність розсіювання транзистора становить 694 Вт.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SMPD із поверхневим типом монтажу (SMD). Транзистор є уніполярним із каналом збагачення (enhancement mode).