Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор IXYS MMIX1F44N100Q3 N-MOSFET 1000В 30А SMPD

4 240 ₴

  • В наявності
  • Код: TM019813
Транзистор IXYS MMIX1F44N100Q3 N-MOSFET 1000В 30А SMPD
Транзистор IXYS MMIX1F44N100Q3 N-MOSFET 1000В 30А SMPDВ наявності
4 240 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор IXYS MMIX1F44N100Q3 — це силовий N-MOSFET класу Q3, розроблений для високовольтних застосувань. Пристрій забезпечує робочу напругу 1 кВ та струм 30 А.

  • Напруга дрена-джерела 1 кВ для високовольтних застосувань
  • Струм дрена 30 А та імпульсний струм 110 А
  • Розсіювана потужність 694 Вт
  • Час готовності 300 нс для швидкого перемикання
  • Опір у відкритому стані 245 мОм
  • Корпус SMPD для поверхневого монтажу (SMD)

Високовольтна стійкість

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1 кВ, що дозволяє використовувати його в мережах із підвищеною напругою.

Потужність та струм

Номінальний струм дрена становить 30 А, а імпульсний струм може досягати 110 А. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 694 Вт, що вимагає якісного відведення тепла від корпусу.

Швидкість перемикання

Час готовності транзистора становить 300 нс. Опір у відкритому стані дорівнює 245 мОм. Заряд затвора становить 264 нК.

Компактний монтаж

Компонент виконаний у корпусі SMPD для поверхневого монтажу (SMD). Поляризація транзистора є уніполярною, а канал — збагачуваним.

Характеристики
Основні
ВиробникIXYS
Максимальна потужність розсіювання694 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік30 В
Максимально допустима напруга стік-витік1000 В
Максимально допустимий струм стоку30 А
Опір у відкритому стані (Rds)245 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Час готовності300 нс
КорпусSMPD
Інформація для замовлення
  • Ціна: 4 240 ₴