Транзистор IXYS MMIX1F44N100Q3 — це силовий N-MOSFET класу Q3, розроблений для високовольтних застосувань. Пристрій забезпечує робочу напругу 1 кВ та струм 30 А.
- Напруга дрена-джерела 1 кВ для високовольтних застосувань
- Струм дрена 30 А та імпульсний струм 110 А
- Розсіювана потужність 694 Вт
- Час готовності 300 нс для швидкого перемикання
- Опір у відкритому стані 245 мОм
- Корпус SMPD для поверхневого монтажу (SMD)
Високовольтна стійкість
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1 кВ, що дозволяє використовувати його в мережах із підвищеною напругою.
Потужність та струм
Номінальний струм дрена становить 30 А, а імпульсний струм може досягати 110 А. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 694 Вт, що вимагає якісного відведення тепла від корпусу.
Швидкість перемикання
Час готовності транзистора становить 300 нс. Опір у відкритому стані дорівнює 245 мОм. Заряд затвора становить 264 нК.
Компактний монтаж
Компонент виконаний у корпусі SMPD для поверхневого монтажу (SMD). Поляризація транзистора є уніполярною, а канал — збагачуваним.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 694 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 1000 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 30 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 245 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 300 нс |
| Корпус | SMPD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 4 240 ₴


