Транзистор IXYS MMIX1F40N110P N-MOSFET 1100 В 24 А SMPD

Транзистор IXYS MMIX1F40N110P — це силовий N-MOSFET з технологією Polar™, розроблений для високовольтних застосувань. Пристрій забезпечує робочий струм 24 А та імпульсний струм до 100 А при напрузі 1100 В, що робить його ефективним рішенням для промислової електроніки.

• Напруга дрена-джерела 1,1 кВ для високовольтних застосувань
• Робочий струм 24 А та імпульсний струм 100 А
• Потужність розсіювання 500 Вт
• Швидка комутація: час готовності 300 нс
• Корпус SMPD для поверхневого монтажу (SMD)
• Технологія Polar™ та HiPerFET™

Високовольтна стійкість

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 1100 В, що дозволяє використовувати його в мережах високої напруги. Така характеристика критична для інверторів та джерел живлення, де потрібна надійна ізоляція та стабільність роботи під високим навантаженням.

Висока потужність розсіювання

Транзистор має номінальний струм дрена 24 А та імпульсний струм 100 А. Потужність розсіювання становить 500 Вт, що дозволяє ефективно відводити тепло при високих навантаженнях.

Низькі втрати при комутації

Час готовності 300 нс забезпечує швидке перемикання станів. Заряд затвора 310 нКл та опір у відкритому стані 0,29 Ом сприяють зниженню втрат енергії та спрощують схему керування.

Технологія та надійність

Використання технологій HiPerFET™ та Polar™ забезпечує стабільну роботу. Корпус SMPD для монтажу SMD дозволяє економити місце на платі та спрощує автоматизацію виробництва.