Транзистор N-MOSFET IXYS MMIX1F210N30P3, 300В, 108А, корпус SMPD

Транзистор N-MOSFET IXYS MMIX1F210N30P3 — це уніполярний компонент технології Polar3™ з напругою 300 В та струмом 108 А.

• Струм стоку 108 А
• Імпульсний струм 550 А
• Напруга стік-витік 300 В
• Потужність розсіювання 520 Вт
• Корпус SMPD для SMD монтажу
• Технологія Polar3™

Висока потужність та струм

Транзистор забезпечує постійний струм стоку 108 А та імпульсний струм до 550 А. Потужність розсіювання становить 520 Вт.

Швидка комутація

Час готовності транзистора становить 250 нс. Заряд затвора становить 268 нК.

Технічні параметри та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SMPD для поверхневого монтажу (SMD). Напруга затвор-витік становить ±20 В, а опір у відкритому стані — 16 мОм. Транзистор є уніполярним з каналом збагачення.