Транзистор N-MOSFET DIOTEC SEMICONDUCTOR MMFTN620KD, 60В, 0,35А, SOT26 (400 шт.)
2 080 ₴
- В наявності
- Код: TM036320
Транзистор N-MOSFET DIOTEC SEMICONDUCTOR MMFTN620KD, 60В, 0,35А, SOT26 (400 шт.)В наявності
2 080 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET DIOTEC SEMICONDUCTOR MMFTN620KD — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Пакет містить 400 одиниць у корпусі SOT26/SOT457 з монтажем SMD.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Постійний струм стіка: 0,35 А (імпульсний до 1 А)
- Корпус SOT26/SOT457 для монтажу SMD
- Розсіювана потужність: 0,5 Вт
- Комплектація: 400 шт. в упаковці
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та постійний струм стіка 0,35 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 1 А. Опір у відкритому стані становить 2,25 Ом, що визначає втрати при пропусканні струму.
Керування затвором
Напруга на затворі може змінюватися в межах ±20 В. Загальний заряд затвора дорівнює 1,3 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diotec Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.35 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2250 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 400 шт. |
| Корпус | SOT26, SOT457 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 080 ₴