Транзистор N-MOSFET DIOTEC MMFTN2362, 60V, 3A, SOT23 (набір 80 шт.)
2 040 ₴
- В наявності
- Код: TM075894
Транзистор N-MOSFET DIOTEC MMFTN2362, 60V, 3A, SOT23 (набір 80 шт.)В наявності
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 80 транзисторів N-MOSFET від DIOTEC SEMICONDUCTOR, модель MMFTN2362. Компоненти у корпусі SOT23 призначені для монтажу на поверхню (SMD) та розраховані на напругу 60 В і струм 3 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-виток: 60 В
- Струм стоку: 3 А (імпульсний до 12 А)
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Розсіювана потужність: 1,25 Вт
- Комплектація: набір із 80 штук
Електричні параметри
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між стоком та виходом становить 60 В, а постійний струм стоку — 3 А. У імпульсному режимі струм може досягати 12 А. Опір у відкритому стані дорівнює 0,1 Ом.
Потужність та керування
Розсіювана потужність компонента становить 1,25 Вт. Напруга на затворі може змінюватися в межах ±20 В. Заряд затвора дорівнює 8,6 нКл.
Корпус та монтаж
Компоненти виконані у стандартному корпусі SOT23. Це дозволяє використовувати технологію поверхневого монтажу (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diotec Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 100 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 80 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 040 ₴