Діод TVS ONSEMI MMBZ27VALT1G у корпусі SOT23. Напруга пробоя становить 27 В. Структура діода — подвійна зі спільною анодом.
- Напруга пробоя 27 В
- Імпульсна потужність 40 Вт та піковий струм 1 А
- Корпус SOT23, монтаж SMD
- Подвійна структура зі спільною анодом
- Струм витоку 50 нА
- Комплект із 100 штук
Електричні параметри
Максимальна імпульсна потужність розсіювання становить 40 Вт, а піковий струм — 1 А. Максимальна зворотна напруга — 22 В. Тип діода — TVS drabinka.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Допуск напруги пробоя становить ±5%.
Версія та канали
Версія діода — ESD. Струм витоку становить 50 нА. Кількість каналів — 2.
Комплектація
У комплекті постачається 100 діодів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимально допустимий прямий імпульсний струм | 1 А |
| Максимальна постійна зворотна напруга | 22 В |
| Напруга пробою | 27 В |
| Додаткові характеристики | |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Допуск | ±5% |
| Кількість у комплекті | 100 шт. |
| Кількість каналів | 2 |
| Корпус | SOT23 |
| Струм витоку | 50nA |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 050 ₴

