Діод TVS ONSEMI MMBZ12VALT1G — це захисний компонент у корпусі SOT23 з подвійною структурою та спільною анодною шиною. Це TVS-діод (захисний діод) версії ESD.
- Напруга пробоя 12 В
- Імпульсна потужність 40 Вт та струм 2,35 А
- Корпус SOT23 для поверхневого монтажу (SMD)
- Подвійна структура з 2 каналами та спільною анодою
- Струм витоку 0,2 мкА
- Комплект із 100 штук
Захист від перенапруг
Напруга пробоя становить 12 В. Максимальна розсіювана потужність в імпульсі становить 40 Вт, а максимальний імпульсний струм — 2,35 А.
Компактний монтаж SMD
Компонент виконаний у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Допуск параметрів становить ±5%.
Подвійна структура та низький струм витоку
Діод має подвійну структуру з двома каналами та спільною анодою. Струм витоку — 0,2 мкА. Версія ESD.
Комплектація
Комплектація: 100 шт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимально допустимий прямий імпульсний струм | 2.35 А |
| Максимальна постійна зворотна напруга | 8.5 В |
| Максимальний зворотний струм | 0.2 мкА |
| Напруга пробою | 12 В |
| Додаткові характеристики | |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Допуск | ±5% |
| Кількість у комплекті | 100 шт. |
| Кількість каналів | 2 |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 050 ₴

