Транзистор PNP ONSEMI MMBTA63LT1G, Darlington, SOT23, 30 В, 0,5 А (комплект 150 шт.)
2 270 ₴
- В наявності
- Код: TM075841
Транзистор PNP ONSEMI MMBTA63LT1G, Darlington, SOT23, 30 В, 0,5 А (комплект 150 шт.)В наявності
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор ONSEMI MMBTA63LT1G — це біполярний транзистор структури PNP з схемою Darlington, призначений для поверхневого монтажу (SMD). Товар постачається комплектом із 150 одиниць у корпусі SOT23 (TO236AB).
- Тип транзистора: PNP, біполярний, Darlington
- Максимальна напруга колектор-емітер: 30 В
- Максимальний струм колектора: 0,5 А
- Потужність розсіювання: 0,225 Вт
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 150 шт.
Технічні параметри
Транзистор має максимальну напругу колектор-емітер 30 В та максимальний струм колектора 0,5 А. Потужність розсіювання становить 0,225 Вт. Ці характеристики визначають межі роботи компонента в електричних ланцюгах.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у стандартному корпусі SOT23 (також відомому як TO236AB). Тип монтажу — SMD (поверхневий).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.225 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 30 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.5 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 150 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 270 ₴