
Транзистор NPN ONSEMI MMBTA13LT1G, Darlington, SOT23, 30V, 0,3A (набір 150 шт.)
2 090 ₴
- В наявності
- Код: TM036310
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор NPN ONSEMI MMBTA13LT1G — це біполярний транзистор Дарлінгтона в корпусі SOT23 (TO236AB) для поверхневого монтажу (SMD). Комплект складається зі 150 одиниць. Максимальний струм колектора становить 0,3 А, а напруга колектор-емітер — до 30 В.
- Тип транзистора: NPN, біполярний, Дарлінгтона
- Напруга колектор-емітер: 30 В
- Струм колектора: 0,3 А
- Розсіювана потужність: 0,225 Вт
- Частота: 125 МГц
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 150 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою колектор-емітер до 30 В та витримує струм колектора 0,3 А. Максимальна розсіювана потужність становить 0,225 Вт, що визначає тепловий режим компонента. Частота становить 125 МГц.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SOT23 (TO236AB) із типом монтажу SMD.
Комплектація
У наборі постачається 150 транзисторів MMBTA13LT1G.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.225 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 30 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.3 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Додаткові характеристики | |
| Гранична частота передачі | 125 МГц |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 150 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 090 ₴
