Транзистор біполярний NPN Diodes Incorporated MMBT5551-7-F, SOT23, 160 В, 0,6 А (набір 90 шт.)

Біполярний транзистор NPN-структури від виробника Diodes Incorporated, модель MMBT5551-7-F. Призначений для поверхневого монтажу в корпусі SOT23. У комплекті поставляється 90 одиниць.

• Тип транзистора: біполярний NPN
• Корпус: SOT23, монтаж поверхневий
• Максимальна напруга колектор-емітер: 160 В
• Максимальний струм колектора: 0,6 А
• Потужність розсіювання: 0,3 Вт
• Гранична частота передачі: 300 МГц
• Кількість у комплекті: 90 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу колектор-емітер 160 В та струм колектора до 0,6 А. Максимальна потужність розсіювання становить 0,3 Вт. Гранична частота передачі сигналу досягає 300 МГц, що визначає його робочий діапазон.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SOT23. Тип монтажу — поверхневий (SMD). Полярність та тип транзистора — біполярний NPN.

Комплектація

Товар постачається набором, що містить 90 транзисторів MMBT5551-7-F.