Транзистор ONSEMI MMBT5179 — це біполярний напівпровідниковий прилад типу NPN, розроблений для радіочастотних (RF) застосувань. Товар поставляється у вигляді комплекту з 150 одиниць у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: NPN, біполярний
- Призначення: RF (радіочастотний)
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Напруга колектор-емітер: 12 В
- Струм колектора: 50 мА
- Потужність розсіювання: 0,225 Вт
- Частота: 2 ГГц
- Кількість у комплекті: 150 шт.
Технічні характеристики
Прилад має максимальну напругу колектор-емітер 12 В та струм колектора 50 мА. Потужність розсіювання становить 0,225 Вт, що відповідає обмеженням для компактних корпусів. Робоча частота транзистора досягає 2 ГГц, що підтверджує його призначення для високочастотних схем.
Монтаж та корпус
Транзистор виготовлений у стандартному корпусі SOT23, що забезпечує компактність розташування на платі. Технологія монтажу SMD дозволяє автоматизувати процес встановлення компонентів. Таке рішення є типовим для серійного виробництва електронних модулів.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.225 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 12 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.05 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 150 шт. |
| Корпус | SOT23 |
- Ціна: 2 080 ₴

