Транзистор NPN ONSEMI MMBT2369ALT1G — це біполярний компонент у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Комплект складається зі 150 одиниць, що зручно для серійного виробництва або великих партій плат.
- Біполярний транзистор структури NPN
- Корпус SOT23 (TO236AB) для SMD монтажу
- Максимальна напруга колектор-емітер: 15 В
- Струм колектора: 0,2 А
- Потужність розсіювання: 0,225/0,3 Вт
- Коефіцієнт підсилення: 40...120
- Комплект: 150 шт.
Технічні параметри
Транзистор має максимальну напругу колектор-емітер 15 В та струм колектора 0,2 А. Потужність розсіювання становить 0,225/0,3 Вт залежно від умов експлуатації. Коефіцієнт підсилення (hFE) знаходиться в діапазоні 40...120.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у стандартному корпусі SOT23 (TO236AB), що забезпечує компактність на друкованій платі. Тип монтажу — SMD (Surface Mount Device), що вимагає відповідного обладнання для пайки.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 15 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.2 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 150 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 430 ₴

