
Транзистор N-JFET ONSEMI MMBFJ310LT1G, SOT23, 25 В, 24 мА (набір 100 шт.)
1 860 ₴
- В наявності
- Код: TM075774
Транзистор N-JFET ONSEMI MMBFJ310LT1G — це уніполярний компонент у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Комплект складається зі 100 штук, що зручно для серійного виробництва або ремонту плат.
- Тип транзистора: N-JFET (уніполярний)
- Корпус: SOT23 для SMD-монтажу
- Максимальна напруга стік-витік: 25 В
- Максимальний струм стоку: 24 мА
- Потужність розсіювання: 0,225 Вт
- Кількість у комплекті: 100 шт.
Електричні параметри
Максимальна потужність розсіювання становить 0,225 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Максимально допустима напруга стік-витік дорівнює 25 В, а максимальний струм стоку — 24 мА. Ці значення є критичними для розрахунку схеми та вибору робочих точок транзистора.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у стандартному корпусі SOT23, який забезпечує компактність розміщення на друкованій платі. Тип монтажу — SMD (Surface Mount Device), що передбачає автоматизований монтаж на поверхню плати. Таке рішення економить місце та спрощує процес пайки в масовому виробництві.
Комплект
У комплекті постачається 100 транзисторів MMBFJ310LT1G. Це дозволяє забезпечити запас компонентів для складання кількох пристроїв або заміну елементів при обслуговуванні.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.225 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 25 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.024 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 100 шт. |
| Корпус | SOT23 |
- Ціна: 1 860 ₴
