Транзистор JFET ONSEMI MMBFJ309LT1G, N-канальний, SOT23, 25 В, 30 мА (комплект 100 шт.)
1 860 ₴
- В наявності
- Код: TM075773
Транзистор JFET ONSEMI MMBFJ309LT1G, N-канальний, SOT23, 25 В, 30 мА (комплект 100 шт.)В наявності
1 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор ONSEMI MMBFJ309LT1G — це N-канальний JFET у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу. Комплект складається зі 100 одиниць.
- Тип транзистора: N-канальний JFET
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Максимальна напруга стік-витік: 25 В
- Максимальний струм стоку: 30 мА
- Потужність розсіювання: 0,225 Вт
- Кількість у комплекті: 100 шт.
Електричні параметри
Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 25 В та струм стоку 30 мА. Максимальна потужність розсіювання становить 0,225 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі SOT23 із типом монтажу SMD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.225 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 25 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.03 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 100 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 860 ₴