Транзистор P-JFET ONSEMI MMBFJ177LT1G, SOT23, 50 шт.
2 190 ₴
- В наявності
- Код: TM036296
Транзистор P-JFET ONSEMI MMBFJ177LT1G, SOT23, 50 шт.В наявності
2 190 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-JFET ONSEMI MMBFJ177LT1G — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу. Комплект складається з 50 одиниць.
- Тип транзистора: P-JFET
- Корпус: SOT23
- Монтаж: SMD
- Розсіювана потужність: 0,225 Вт
- Струм витоку: 1,5 мА
- Опір у стані провідності: 300 Ом
- Кількість у комплекті: 50 шт.
Технічні параметри
Прилад має розсіювану потужність 0,225 Вт та струм витоку 1,5 мА. Опір у стані провідності становить 300 Ом, а максимальна напруга між затвором і витоком — 30 В. Струм затвора (Igt) дорівнює 50 мА.
Монтаж та корпус
Транзистор виготовлений у стандартному корпусі SOT23, що призначений для технології поверхневого монтажу (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.225 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.0015 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 190 ₴