Транзистор N-JFET ONSEMI MMBFJ112, SOT23, 5mA, 0,35W (комплект 50 шт.)
2 000 ₴
- В наявності
- Код: TM075771
Транзистор N-JFET ONSEMI MMBFJ112, SOT23, 5mA, 0,35W (комплект 50 шт.)В наявності
2 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-JFET ONSEMI MMBFJ112 — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Комплект складається з 50 одиниць.
- Тип транзистора: N-JFET (уніполярний)
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Струм стоку: 5 мА
- Розсіювана потужність: 0,35 Вт
- Напруга затвор-виток: -35 В
- Опір у стані провідності: 50 Ом
- Струм затвора (Igt): 50 мА
- Кількість у комплекті: 50 шт.
Технічні параметри
Транзистор має струм стоку 5 мА та розсіювану потужність 0,35 Вт. Напруга затвор-виток становить -35 В, а опір у стані провідності — 50 Ом. Струм затвора (Igt) дорівнює 50 мА.
Монтаж та корпус
Прилад виконаний у корпусі SOT23. Тип монтажу — SMD (поверхневий).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.35 Вт |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.005 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 000 ₴