Транзистор N-JFET ONSEMI MMBFJ111 у корпусі SOT23 — це уніполярний компонент для монтажу на поверхню (SMD). Поставляється набором із 40 штук.
- Тип: N-JFET, уніполярний
- Корпус: SOT23 для SMD монтажу
- Струм стока: 20 мА
- Потужність: 0,35 Вт
- Напруга затвор-виток: -35 В
- Набір: 40 транзисторів
Технічні параметри
Пристрій є уніполярним транзистором типу N-JFET. Максимальний струм стока становить 20 мА, а розсіювана потужність — 0,35 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 30 Ом.
Електричні характеристики
Напруга затвор-виток обмежена значенням -35 В. Струм затвора становить 50 мА. Ці параметри визначають робочі режими транзистора в електричних схемах.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у стандартному корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Такий формат дозволяє розміщувати транзистор на друкованих платах без свердління отворів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.35 Вт |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.02 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 890 ₴

