Транзистор N-JFET ONSEMI MMBF4391LT1G, SOT23, 30В, 50мА (набір 50 шт.)
2 090 ₴
- В наявності
- Код: TM036295
Транзистор N-JFET ONSEMI MMBF4391LT1G, SOT23, 30В, 50мА (набір 50 шт.)В наявності
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-JFET ONSEMI MMBF4391LT1G — це уніполярний компонент у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Пакет містить 50 одиниць.
- Тип транзистора: N-JFET
- Напруга дрена-джерела: 30 В
- Струм дрена: 50 мА
- Потужність розсіювання: 0,225 Вт
- Корпус: SOT23
- Монтаж: SMD
- Кількість у комплекті: 50 шт.
Електричні характеристики
Транзистор працює при напрузі дрена-джерела 30 В та струмі дрена 50 мА. Потужність розсіювання становить 0,225 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 30 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі SOT23. Призначений для технології монтажу SMD. Тип транзистора — N-JFET, полярність — уніполярна.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.225 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.05 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 090 ₴