Транзистор N-MOSFET ONSEMI MMBF2201NT1G, 20 В, 240 мА, SOT323 (50 шт.)
2 160 ₴
- В наявності
- Код: TM036294
Транзистор N-MOSFET ONSEMI MMBF2201NT1G, 20 В, 240 мА, SOT323 (50 шт.)В наявності
2 160 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI MMBF2201NT1G — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Пакет містить 50 одиниць у корпусі SC70/SOT323.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрена-джерела: 20 В
- Струм дрена: 240 мА (імпульсний до 750 А)
- Розсіювана потужність: 150 мВт
- Корпус: SC70 / SOT323, монтаж SMD
- Комплектація: 50 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює при напрузі дрена-джерела 20 В та максимальному струмі дрена 240 мА. У імпульсному режимі допустимий струм сягає 750 А, а розсіювана потужність становить 150 мВт. Опір у стані провідності дорівнює 1 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SC70 (SOT323) для технології SMD. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В, а заряд затвора становить 1,4 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.15 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.24 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | SC70, SOT323 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 160 ₴