Транзистор ONSEMI MJD45H11-1G — це біполярний компонент структури PNP у корпусі DPAK. Комплект складається з 20 одиниць, призначених для монтажу на поверхню (SMD).
- Тип транзистора: PNP, біполярний
- Напруга колектор-емітер: 80 В
- Струм колектора: 8 А
- Потужність розсіювання: 20 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 80 В та струм колектора 8 А. Потужність розсіювання становить 20 Вт. Коефіцієнт підсилення за струмом дорівнює 60.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі DPAK із типом монтажу SMD. Максимальна робоча частота становить 90 МГц.
Характеристики
| Основні атрибути | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Тип | Корпус |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гранична частота передавання | 90 МГц |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Максимальна потужність розсіювання | 20 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-еммітер | 80 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 8 А |
| Тип монтажа | Поверхневий |
| Тип транзизора | Біполярний |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 140 ₴

