Транзистор ONSEMI MJD31CT4G NPN 100V 3A DPAK (комплект 30 шт.)
2 270 ₴
- В наявності
- Код: TM075651
Транзистор ONSEMI MJD31CT4G NPN 100V 3A DPAK (комплект 30 шт.)В наявності
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор ONSEMI MJD31CT4G — це біполярний напівпровідниковий прилад структури NPN у корпусі DPAK. Комплект складається з 30 одиниць, призначених для монтажу на поверхню (SMD).
- Тип транзистора: NPN, біполярний
- Максимальна напруга колектор-емітер: 100 В
- Струм колектора: 3 А
- Потужність розсіювання: 15 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу колектор-емітер 100 В та струм колектора 3 А. Потужність розсіювання становить 15 Вт, що дозволяє використовувати його в схемах із середнім навантаженням. Коефіцієнт підсилення за струмом (hFE) знаходиться в діапазоні 10...50.
Корпус та монтаж
Прилад виконаний у корпусі DPAK, що забезпечує компактність та зручність автоматизованого монтажу. Тип монтажу — SMD (поверхневий), що підходить для сучасних друкованих плат. Максимальна робоча частота становить 3 МГц.
Характеристики
| Основні атрибути | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Тип | Корпус |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гранична частота передавання | 3 МГц |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Максимальна потужність розсіювання | 15 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-еммітер | 100 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 3 А |
| Тип монтажа | Поверхневий |
| Тип транзизора | Біполярний |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 270 ₴