Транзистор STMicroelectronics MJD112T4, NPN, Darlington, DPAK, 100 В, 2 А (набір 30 шт.)
2 560 ₴
- В наявності
- Код: TM036273
Транзистор STMicroelectronics MJD112T4, NPN, Darlington, DPAK, 100 В, 2 А (набір 30 шт.)В наявності
2 560 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
біполярний транзистор структури Darlington з типом провідності NPN Прилад виконаний у корпусі DPAK для поверхневого монтажу та призначений для роботи з напругою до 100 В і струмом колектора до 2 А.
- Тип транзистора: біполярний, структура Darlington
- Максимальна напруга колектор-емітер: 100 В
- Максимальний струм колектора: 2 А
- Потужність розсіювання: 20 Вт
- Гранична частота передачі: 25 МГц
- Корпус: DPAK, монтаж поверхневий
Електричні параметри
Максимальна напруга колектор-емітер становить 100 В, що визначає межі робочого навантаження. Максимально допустимий струм колектора дорівнює 2 А. Гранична частота передачі сигналу — 25 МГц, що характеризує швидкодію пристрою.
Потужність та конструкція
Максимальна потужність розсіювання транзистора — 20 Вт. Корпус DPAK. Тип монтажу — поверхневий.
Комплектація
У наборі постачається 30 шт. транзисторів MJD112T4.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 20 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 100 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 2 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Додаткові характеристики | |
| Гранична частота передачі | 25 МГц |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | DPAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 560 ₴