Транзистор NPN STMicroelectronics MJD112T4, Darlington, 100В, 2А, DPAK (30 шт.)
2 560 ₴
- В наявності
- Код: TM036273
Транзистор NPN STMicroelectronics MJD112T4, Darlington, 100В, 2А, DPAK (30 шт.)В наявності
2 560 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор STMicroelectronics MJD112T4 — це біполярний компонент типу NPN з архітектурою Дарлінгтона,. Комплект складається з 30 одиниць у корпусі DPAK, що забезпечує зручність для серійного монтажу на друкованих платах.
- Тип транзистора: NPN, біполярний, Дарлінгтона
- Максимальна напруга колектор-емітер: 100 В
- Струм колектора: 2 А
- Розсіювана потужність: 20 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Висока напруга та струм колектора
Транзистор працює з напругою колектор-емітер до 100 В та витримує постійний струм колектора 2 А. Це дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах керування, де потрібна надійна комутація навантажень із середнім рівнем споживання.
Ефективне відведення тепла
Максимальна розсіювана потужність становить 20 Вт, що вимагає належного теплового режиму. Монтаж здійснюється методом SMD у корпусі DPAK.
Зручний комплект для виробництва
Упаковка містить 30 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 20 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 100 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 2 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Додаткові характеристики | |
| Гранична частота передачі | 25 МГц |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | DPAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 560 ₴