Транзистор ONSEMI MJD112G, NPN, Darlington, DPAK, 100В, 2А (комплект 30 шт.)
2 290 ₴
- В наявності
- Код: TM075647
Транзистор ONSEMI MJD112G, NPN, Darlington, DPAK, 100В, 2А (комплект 30 шт.)В наявності
2 290 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор ONSEMI MJD112G — це біполярний компонент типу NPN зі структурою Дарлінгтона, призначений для роботи в електронних схемах. Пакет містить 30 одиниць у корпусі DPAK з монтажем SMD.
- Тип транзистора: NPN, біполярний, структура Дарлінгтона
- Максимальна напруга колектор-емітер: 100 В
- Струм колектора: 2 А
- Потужність розсіювання: 1,75 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Компонент розрахований на напругу колектор-емітер 100 В та струм колектора 2 А. Потужність розсіювання становить 1,75 Вт, що визначає тепловий режим роботи пристрою. Коефіцієнт підсилення за струмом (hFE) знаходиться в діапазоні 100...12000.
Корпус та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
Упаковка включає 30 транзисторів MJD112G.
Характеристики
| Основні атрибути | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Тип | Корпус |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.75 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-еммітер | 100 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 2 А |
| Тип монтажа | Поверхневий |
| Тип транзизора | Біполярний |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 290 ₴